首页 编辑动态正文

特别推出:2024年第7期“宽禁带功率半导体封装集成与应用”专栏


发布单位:编辑部 | 点击次数:219次 | 发布时间:2024-07-22

采用宽禁带功率半导体器件对于提高电力电子变换器频率、效率、功率密度、工作温度等带来巨大机遇,但是也存在众多挑战。目前,宽禁带功率半导体封装集成与应用中还存在很多理论和技术问题,导致宽禁带功率半导体器件的性能还不够理想。

为了推进宽禁带功率半导体封装集成与应用关键技术的研究,《华中科技大学学报(自然科学版)》特邀王智强教授、辛国庆教授担任主持人,于2024年7月推出“宽禁带功率半导体封装集成与应用”专栏。

 

一、特邀主持人

 

二、文章导览

篇名 作者 年/期
高功率密度三相全桥SiC功率模块设计与开发 回晓双, 宁圃奇, 李东润, 康玉慧 2024/07
新型多级沟槽结势垒肖特基二极管 袁俊, 陈伟, 郭飞, 成志杰, 等 2024/07
9 2024
主 管:教育部
主 办:华中科技大学
主 编:李元元
刊 号:ISSN 1671-4512
    CN 42-1658/N
邮 发:国内 38-9
    国外 M 487
联系我们
地址:武汉市珞喻路1037号
   华中科技大学主校区
邮编:430074
电话:027-87543916
   027-87544294
邮箱:hgxbs@mail.hust.edu.cn
网址:xb.hust.edu.cn
微信:hustxbs
关注微信公众号